咨询热线

13061644116

当前位置:首页  >  产品展示  >  光电探测器  >  MCT碲镉汞探测器  >  MCT-PCI-2TE-5-2×2MCT两级TE冷却光电导探测器

MCT两级TE冷却光电导探测器

简要描述:1-15μm中红外光浸没式MCT两级TE冷却光电导探测器 PCI-2TE系列是基于复杂的MCT异质结构的两级热电冷却红外光电导探测器,采用光学浸没来提高器件的性能,具有好的性能和稳定性。探测器在λ_opt条件下性能达到好。截止波长受GaAs透过率(~0.9μm)的限制。设备应该在好的偏置电压和电流读出模式下工作。

  • 产品型号:MCT-PCI-2TE-5-2×2
  • 厂商性质:经销商
  • 更新时间:2022-08-08
  • 访  问  量:627

详细介绍

品牌其他品牌产地类别进口
应用领域化工,能源,建材,电子

PCI-2TE系列是基于复杂的MCT异质结构的两级热电冷却红外光电导探测器,采用光学浸没来提高器件的性能,具有好的性能和稳定性。探测器在λ_opt条件下性能达到。截止波长受GaAs透过率(~0.9μm)的限制。设备应该在的偏置电压和电流读出模式下工作。由于1/f噪声,探测器在低频时性能降低。1/f噪声角频率随截止波长增大而增大。3°楔状蓝宝石(wAl2O3)或硒化锌抗反射涂层(wZnSeAR)窗口可防止不必要的干扰影响。

产品应用

热成像

FTIR光谱学

激光外差探测

中红外气体分析

技术参数

参数

探测器型号

PCI-2TE-5

PCI-2TE-6

PCI-2TE-9

PCI-2TE-10.6

PCI-2TE-12

PCI-2TE-13

有源元件材料

外延MCT异质结构

最佳波长(μm)

5.0

6.0

9.0

10.6

12.0

13.0

相对响应强度D*   (λpeak,20kHz),cm·Hz1/2/W

≥4.0×1010

≥2.0×1010

≥8.0×109

≥2.8×109

≥1.0×109

≥4.0×108

相对响应强度D* (λopt,20kHz),cm·Hz1/2/W

≥2.0×1010

≥1.0×1010

≥4.0×109

≥1.0×109

≥4.5×108

≥2.3×108

电流响应度-活性面积长度乘积Ri(λopt)·L,A·mm/W

≥3.0

≥1.5

≥0.225

≥0.1

≥0.05

≥0.03

时间常数T,ns

≤20000

≤4000

≤40

≤10

≤3

≤2

1/f噪声角频率fc,Hz

≤10k

≤20k

偏置电压-光学区域长度比Vb/LO,V/mm

≤0.2

≤0.32

≤0.2

≤0.225

≤0.15

≤0.18

电阻R,Ω

≤1200

≤800

≤400

≤300

≤200

≤150

工作温度Tdet,K

~230

感光面尺寸,mm×mm

0.5×0.5,1×1,2×2

封装

TO8,TO66

接收角ϕ

~36°

窗口

wAl2O3

wZnSeAR


20℃探测器的光谱响应曲线

2te.png

两级TE冷却参数表

参量

数值

Tdet,K

~230

Vmax,V

1.3

Imax,A

1.2

Qmax,W

0.36


热敏电阻特性曲线

2te1.png

光学窗口透过率曲线

2te3.png

(更多关于MCT探测器 MCT探测器 )




产品咨询

留言框

  • 产品:

  • 您的单位:

  • 您的姓名:

  • 联系电话:

  • 常用邮箱:

  • 省份:

  • 详细地址:

  • 补充说明:

  • 验证码:

    请输入计算结果(填写阿拉伯数字),如:三加四=7