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Philips单模VCSEL激光器具有出光功率高,线宽窄以及良好的一致性目前深受国内科研客户青睐。目前我们现有库存波长760nm 用于TDLAS氧气检测,以及795nm用于Rb原子钟实验,还有852nm用于CS原子冷却。
760nm单模垂直腔面发射激光器(VCSEL)具有出光功率高,线宽窄以及良好的一致性等优点,2nm调谐范围,专为可调谐半导体激光吸收光谱(TDLAS)应用而设计,内置防静电(ESD)保护。
760nm单模垂直腔面发射激光器VCSEL具有出光功率高,线宽窄以及良好的一致性等优点,2nm调谐范围,专为可调谐半导体激光吸收光谱(TDLAS)应用而设计,内置防静电(ESD)保护.
894.6nm, VCSEL单模垂直腔面发射激光器GaAs:以砷化镓半导体材料为基础研制,不同于LED(发光二极管)和LD(激光二极管)。结构由镜面,有源层和金属接触层组成。两个发射镜分别为P型,N型布拉格发射器。
1567nm VCSEL垂直腔面发射激光器 1.0mW:以砷化镓半导体材料为基础研制,不同于LED(发光二极管)和LD(激光二极管)。结构由镜面,有源层和金属接触层组成。两个发射镜分别为P型,N型布拉格发射器。
795nm单模VCSEL激光器 1mw Philips具有出光功率高,线宽窄以及良好的一致性目前深受国内科研客户青睐。目前我们现有库存波长760nm 用于TDLAS氧气检测,以及795nm用于Rb原子钟实验,还有852nm用于CS原子冷却。
760nm 单模VCSEL激光器 1mw Philips:Philips单模VCSEL激光器具有出光功率高,线宽窄以及良好的一致性目前深受国内科研客户青睐。目前我们现有库存波长760nm、764nm激光器, 760nm用于TDLAS氧气检测,以及795nm用于Rb原子钟实验,还有852nm用于CS原子冷却。