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  • PL-VCSEL-0850-1-1-SA-14BF850nm蝶形高速调制单模 VCSEL激光器
    PL-VCSEL-0850-1-1-SA-14BF850nm蝶形高速调制单模 VCSEL激光器

    850nm蝶形高速调制单模 VCSEL激光器:LD-PD INC借经过优化的光学特性,850 nm 单模 VCSEL 成为高要求传感系统应用的理想选择。创新型芯片设计已对高阶纵向与横向模式加以抑制,同时具有线性偏振稳定性。

    更新时间:2022-08-08型号:PL-VCSEL-0850-1-1-SA-14BF访问量:893
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  • ULM760-01-TN-S46FTTPhilips 760/764nm单模VCSEL激光器TO46
    ULM760-01-TN-S46FTTPhilips 760/764nm单模VCSEL激光器TO46

    Philips单模VCSEL激光器具有出光功率高,线宽窄以及良好的一致性目前深受国内科研客户青睐。目前我们现有库存波长760nm 用于TDLAS氧气检测,以及795nm用于Rb原子钟实验,还有852nm用于CS原子冷却。

    更新时间:2022-08-08型号:ULM760-01-TN-S46FTT访问量:941
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  • P760/01_2760nm单模垂直腔面发射激光器
    P760/01_2760nm单模垂直腔面发射激光器

    760nm单模垂直腔面发射激光器(VCSEL)具有出光功率高,线宽窄以及良好的一致性等优点,2nm调谐范围,专为可调谐半导体激光吸收光谱(TDLAS)应用而设计,内置防静电(ESD)保护。

    更新时间:2022-08-08型号:P760/01_2访问量:10420
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  • 760nm单模垂直腔面发射激光器VCSEL
    760nm单模垂直腔面发射激光器VCSEL

    760nm单模垂直腔面发射激光器VCSEL具有出光功率高,线宽窄以及良好的一致性等优点,2nm调谐范围,专为可调谐半导体激光吸收光谱(TDLAS)应用而设计,内置防静电(ESD)保护.

    更新时间:2022-08-08型号:访问量:984
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  • V00145894.6nm, VCSEL单模垂直腔面发射激光器GaAs
    V00145894.6nm, VCSEL单模垂直腔面发射激光器GaAs

    894.6nm, VCSEL单模垂直腔面发射激光器GaAs:以砷化镓半导体材料为基础研制,不同于LED(发光二极管)和LD(激光二极管)。结构由镜面,有源层和金属接触层组成。两个发射镜分别为P型,N型布拉格发射器。

    更新时间:2022-08-08型号:V00145访问量:1367
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  • 1567nm VCSEL垂直腔面发射激光器 1.0mW
    1567nm VCSEL垂直腔面发射激光器 1.0mW

    1567nm VCSEL垂直腔面发射激光器 1.0mW:以砷化镓半导体材料为基础研制,不同于LED(发光二极管)和LD(激光二极管)。结构由镜面,有源层和金属接触层组成。两个发射镜分别为P型,N型布拉格发射器。

    更新时间:2022-08-08型号:访问量:1057
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  • MP794-01-TN-S46FTT795nm单模VCSEL激光器 1mw Philips
    MP794-01-TN-S46FTT795nm单模VCSEL激光器 1mw Philips

    795nm单模VCSEL激光器 1mw Philips具有出光功率高,线宽窄以及良好的一致性目前深受国内科研客户青睐。目前我们现有库存波长760nm 用于TDLAS氧气检测,以及795nm用于Rb原子钟实验,还有852nm用于CS原子冷却。

    更新时间:2022-08-08型号:MP794-01-TN-S46FTT访问量:902
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  • ULM760-01-TN-S46FTT760nm 单模VCSEL激光器 1mw Philips
    ULM760-01-TN-S46FTT760nm 单模VCSEL激光器 1mw Philips

    760nm 单模VCSEL激光器 1mw Philips:Philips单模VCSEL激光器具有出光功率高,线宽窄以及良好的一致性目前深受国内科研客户青睐。目前我们现有库存波长760nm、764nm激光器, 760nm用于TDLAS氧气检测,以及795nm用于Rb原子钟实验,还有852nm用于CS原子冷却。

    更新时间:2022-08-08型号:ULM760-01-TN-S46FTT访问量:869
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