技术文章

Technical articles

当前位置:首页技术文章低功耗薄膜铌酸锂微环声光调制-光波共振“遇见”声波 | 前沿进展

低功耗薄膜铌酸锂微环声光调制-光波共振“遇见”声波 | 前沿进展

更新时间:2025-03-04点击次数:132

 

     研究背景

  集成声光子技术在经典与量子信息转换间架起了互通的桥梁,是光子集成回路领域的新兴方向,近些年备受关注。高效的微波-光波转换对于微波信号处理、量子比特传输和光机械传感等应用至关重要。片上集成声光调制器作为实现这一转换的关键元件,其性能主要依赖于波导材料的压电和光弹性效应,以及器件结构的设计。


  当前,基于氮化铝(AlN)、铝钪氮(AlScN)、砷化镓(GaAs)、磷化镓(GaP)、氮化镓(GaN)、锆钛酸铅(PZT)等多种压电材料的集成声光调制器已被陆续报道,但在满足不同微波或光波信号处理应用场景时,性能上仍有很大的提升空间。随着TFLN声光子学的发展,其优异的压电和光弹特性,为高性能集成声光调制器的研究提供了新的契机。基于TFLN平台,主要有两种主流的器件设计方案。一种是通过悬浮TFLN构建声学谐振腔来实现高效声光调制,但该方案存在器件制备困难和射频功率处理能力低的技术问题。另外一种思路是基于非悬浮TFLN平台,结合光学/声学波导设计与模式调控等技术手段,进一步提高器件调制效率并增强实用性。鉴于此,为了展现集成声光调制器的功能与潜力,不同的器件原型新进展层出不穷。


  研究创新点

  此研究利用ChG加载的TFLN平台,展示了一种非悬浮的跑道型微环集成声光调制器,其结构主要包含TFLN-ChG混合集成微环谐振器与偶数对电极的叉指换能器(IDT),如图1所示。研究人员在X切的TFLN平板上混合集成具有高光弹性系数的ChG薄膜,形成了混合波导的芯层,用于限制光学模式。IDT则用于产生对称表面声波(SAW),作用于跑道微环的双臂位置,借助光弹和移动边界效应扰动波导中的光学模式。


  图1 器件结构的示意图


  研究团队通过精心设计IDT电极配置,在2.5 GHz频率范围内成功激发出了三种声学模式,如图2(b)所示,在非悬浮ChG加载的TFLN微环波导平台上实现了双臂声光调制。在0.84 GHz下,与之前的单臂调制器相比,双臂调制使效率VπL提升了两倍多。该调制效率显著优于现有非悬浮TFLN集成声光调制器,且与现有悬浮薄膜铌酸锂声光调制器最佳的调制效率相当。同时,研究人员还对比了双臂配置下,不同电极对数IDT对调制效率的影响。在电极对数为偶数对时,该调制器的等效半波电压长度积低至9 mV?cm。为阐明声光相互作用强度,研究人员重新定义了行波调制下的声光耦合强度,并给出了微波-光波转换效率的具体表达。


  图2 薄膜铌酸锂混合集成微环声光调制器的光学透射谱(a)与S参数表征(b)


  另外,研究人员从微环谐振器的理论出发,重新定义了适用于微环声光调制器的调制效率解析表达式。通过改变蓝失谐偏置点位置,分别通过数值计算和实验测量深入分析了调制效率的演变,详细研究了偏置点位置对调制效率的影响,相关结果如图3(c)。特别在射频功率RF = 12 dBm的情况下,调制器产生了共计五阶的光边带,如图3(d)所示。借助光边带理论拟合,很好的展现了双臂集成微环声光调制器优异的调制效果。

  图3 三种声学模式下,偏置波长对声光调制效率的影响(c)和最佳的调制光边带结果(d)



  总结与展望

  该研究成功开发出一种混合集成的片上微环声光调制器。通过合理的理论仿真探究,优化光学波导和IDT设计,实现了高达9 mV?cm 的调制效率。研究人员还深入分析了偏置点对调制效率的影响,揭示了调制效率VπL的演变规律。计算得出了该调制器在0.84 GHz时的声光耦合系数和光子数转换效率,展示了其在微波到光波转换方面的潜力。该高效微环声光调制器的问世,为片上压电光机械相互作用器件的研究开辟了新途径,有望推动高性能微波光子处理器、光隔离器、激光雷达(LiDAR)、量子信息转换等先进集成芯片的发展。


    参考文献: 中国光学期刊网 



您好,可以免费咨询,技术客服,Daisy

:筱晓(上海)光子技术有限公司
欢迎大家给我们留言,私信我们会详细解答,分享产品链接给您。