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| 品牌 | 其他品牌 | 产地类别 | 进口 |
|---|---|---|---|
| 应用领域 | 化工,能源,建材,电子 |
筱晓光子库存备有各种有效面积和封装的PIN结二极管(PD)，包括铟镓砷(InGaAs)、磷化镓(GaP)、硅(Si)和锗(Ge)光电二极管。
我们有高速硅光电二极管。也有在900到2600 nm的范围内具有高响应率，其探测波长超过典型铟镓砷光电二极管的1800 nm。双波段光电二极管，它集成了上下紧贴在一起的两个光电探测器(硅基底在上，铟镓砷基底在下)，组合波长范围从400到1700 nm。
为了丰富我们的光电二极管产品线，我们提供已安装的光电二极管便于客户供电即用，探测器有效面积边缘的不均匀性可能引起不必要的电容电阻效应，从而扭曲光电二极管的时域响应。因此，我们建议使光入射在有效面积中心。为此，可以在探测器前放置聚焦透镜或者针孔。
● 传输速率155Mbps/1.25Gbps/2.5Gbps
● 高灵敏度
● 工作波长范围：1260~1650nm
● 单电源供电
● 遵循Telcordia Technoligies GR-468-CORE标准
● RoHS认证RoHS compliant
引脚编号 | 引脚功能说明 | 引出端符号 |
1 | 信号正输出端 | Vout+ |
2 | 放大器电源 | VCC |
3 | 偏置电压 | VAPD |
4 | 信号负输出端 | Vout- |
5 | 接地 | GND (case) |
引脚编号 | 引脚功能说明 | 引出端符号 |
1 | 信号正输出端 | Vout+ |
2 | 信号负输出端 | Vout |
3 | 接地 | -GND (case) |
4 | 放大器电源 | VCC |
注意事项
a.严格按照引脚说明连接，输出AC耦合时，差分负载应为100Ω
b. 贮运、使用过程中必须采取适当的静电防护措施。
c.器件属于高电压工作器件，使用时应采取适当的设计和措施避免人体受到伤害。
● 无源光网络与SDH/SONET传输系统
● 吉比特以太网与光纤信道
● 其它应用Other application
型号： IRPD5521Y-□□□□-☆-T-XX
速率□□□□：
0155:155Mbps
1.25:1.25Gbps
2.5:2.5Gbps
探测器类型☆：
A: APD
P: PD
T: TIA
封装XX：
PG:尾纤
TO:TO封装
参数名称 | 符号 | 测试条件 | 最小 | 典型Typ. | 最大 | 单位 |
TIA工作电流 | ICC | Vcc=3.3V | - | 44 | 59 | mA |
反向击穿电压1） | VBR | ID=100μA | 35 | - | 55 | V |
VBR温度系数 | σ | γ= dVBR/dTC | - | 0.1 | 0.15 | V/℃ |
差分跨阻 IRPD5521Y-155 IRPD5521Y-1.25 IRPD5521Y-2.5 |
ZT |
Pin=-30dBm， RL=100Ω, |
54 26 3.6 | kΩ | ||
-3dB带宽 IRPD5521Y-155 IRPD5521Y-1.25 IRPD5521Y-2.5 |
f-3dB |
Pin=-30dBm | 100 1000 2000 | MHz | ||
响应度 | Re | M=1 , λ = 1.55μm | 0.85 | 0.95 | - | A/W |
输出阻抗 | ZO | Single ended | - | 50 | 70 | Ω |
灵敏度 IRPD5521Y-155A IRPD5521Y-155P IRPD5521Y-1.25A IRPD5521Y-1.25P IRPD5521Y-2.5A IRPD5521Y-2.5P | PS |
λ=1.55μm,NRZ, PRBS=223–1, BER=10-10, ER=10dB, V=Vop | -47 -39 -35 -28 -34 -26 | － | － | dBm |
过载功率 APD PIN |
PMAX |
-5 +3 | - | - | dBm | |
光回损 | Lo | λ = 1.55μm | - | - | -30 | dB |
备注：1）仅适用于APD探测器 | ||||||
最大绝对额定值 T=25deg
参数名称 | 符号 | 额定值 | 单位 |
TIA电源电压 | VCC | 5 | V |
APD反向电压APD | VAPD | VBR | V |
APD/PD反向电流 | Ir | 2 | mA |
APD/PD正向电流 | If | 2 | mA |
工作温度范围 | TC | -40 ~ +85 | ℃ |
贮存温度范围 | TSTG | -55 ~ +100 | ℃ |
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