咨询热线
13061644116
13061644116
追求合作共赢
Win win for you and me光器件垂直整合方案提供者
诚信经营质量保障价格合理服务完善
当前位置：首页 > 产品展示 > 光电探测器 > InGaAs铟镓砷光电二极管 > 铟镓砷 InGaAs 光电二极管探测器 2.2um扩展型 GPD GAP2000/2.2
产品分类
Product Category相关文章
Related Articles详细介绍
| 品牌 | 其他品牌 | 产地类别 | 进口 |
|---|---|---|---|
| 应用领域 | 化工,能源,建材,电子 |
铟镓砷 InGaAs 光电二极管探测器 2.2um扩展型 GPD GAP2000/2.2
2.2um扩展型InGaAs光电二极管响应截止波长达到2.2um,提供了出色的分流电阻，并在带宽范围内具有出色的响应度。
产品特点：
有效直径2mm,3 mm可选
扩展的截止波长2.2μm
高分流电阻
封装形式TO-5
产品应用：
气体检测
碳氢化合物传感
红外光谱
光谱学
SWIR光电探测
技术参数：
电学参数@ 23 ºC ± 2 ºC
参数 | GAP2000/2.2 | GAP3000/2.2 | 单位 |
有效直径 | 2 | 3 | mm |
峰值波长（典型） | 2.0 ± 0.1 | 2.0 ± 0.1 | um |
截止波长 (50%) | 2.2 ± 0.1 | 2.2 ± 0.1 | µm |
响应度@ λP(min/typ) | 0.9/1.0 | 0.9/1.0 | A/W |
分流电阻 (min/typ) | 6k/10k | 2k/6k | Ω |
暗电流(max) | 40 @ 1 V | 100 @ 1 V | µA |
电容 (typ) @ 0 V | 4000 | 8000 | pF |
带宽 w/ 50 Ω @ 0 V (typ) | 0.795 | 0.397 | MHz |
上升时间 w/ 50 Ω @ 0 V (typ) | 440 | 881 | ns |
NEP @ λPEAK (typ) | 128 x 10-14 | 287 x 10-14 | W/Hz1/2 |
线性度 (± 0.2 dB @ 0 V) | 6 | 6 | dBm |
封装 | TO-5 | TO-5 |
最大参数
参数 | GAP2000/2.2 | GAP3000/2.2 | 单位 |
存储温度 | -40 to 125 | -40 to 125 | ℃ |
工作温度 | -40 to 85 | -40 to 85 | ℃ |
反向电压 | 1 | 1 | V |
反向电流 | 10 | 10 | mA |
正向电流 | 10 | 10 | mA |
功耗 | 50 | 50 | mW |
波长响应曲线
铟镓砷 InGaAs 光电二极管探测器 2.2um扩展型 GPD GAP2000/2.2
产品咨询
