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超快光电探测器 Alphalas UPD 320-1700nm InGaAs/Si/Ge/GaAs

简要描述:超快光电探测器 Alphalas UPD 320-1700nm InGaAs/Si/Ge/GaAs系列自由空间入射超快光电探测器系列适合用于从直流到25GHz的空间光波形的测量。可提供检测最短为15ps上升时间的光脉冲信号,覆盖从170至2600nm的光谱范围

  • 产品型号:UPD-35-UVIR-D
  • 厂商性质:经销商
  • 更新时间:2024-05-15
  • 访  问  量:743

详细介绍

品牌其他品牌产地类别进口
应用领域化工,能源,建材,电子

ALPHLAS UPD超快光电探测器 800-1700nm , InGaAs

ALPHLAS UPD系列自由空间入射超快光电探测器系列用于从直流到25GHz的空间光波形的测量。可提供检测最短为15ps上升时间的光脉冲信号,覆盖从170至2600nm的光谱范围。所有探测器都由紧凑坚实的过氧极化铝外壳封装,供电方式可以采用电池或外接电源。是可提供从170到1100 nm扩展到紫外光谱范围高速硅探测器商业产品。另一种类型的紫外线敏感的InGaAs 探测器,可用于检测从350到1700纳米范围内的激光脉冲,因此具有最宽的光谱范围和超高的响应速度。

的阻抗匹配和*的微波技术,确保测量的脉冲波形的保真度。用户可以自由使用50Ω的匹配电阻,进行最高响应速度的检测。或为获得大的信号响应曲线,加入高阻抗负载。保证了UPD产品为不同的应用提供最大的灵活性。 结合BBA系列宽带高增益放大器,高速光探测器对于取代昂贵和繁琐的雪崩光电二极管是一个好的选择。UPD的系列高速光电探测器是激光和光子学研究的 ALPHLAS UPD超快光电探测器 800-1700nm , InGaAs

的工具。
技术参数

产品型号

上升时间ps

带宽GHz

光谱范围nm

光敏面积直径μm/mm2

暗电流nA

输出接口

材料

UPD-15-IR2-FC

< 15

>25

800-1700

光纤, 9 µm

0.1

SMA

InGaAs

UPD-30-VSG-P

< 30

>10

320-900

200×200 / 0.04

0.1

SMA

GaAs

UPD-35-IR2-P

< 35

>10

800-1700

55 / 0.0024

0.3

SMA

InGaAs

UPD-35-IR2-D

< 35

>10

800-1700

55 / 0.0024

0.3

SMA

InGaAs

UPD-35-IR2-FR

< 35

>10

800-1700

55 / 0.0024

0.3

SMA

InGaAs

UPD-35-IR2-FC

< 35

>10

800-1700

光纤, 9 µm

0.3

SMA

InGaAs

UPD-35-UVIR-P

< 35

>10

350-1700

55 / 0.0024

0.3

SMA

InGaAs

UPD-35-UVIR-D

< 35

>10

350-1700

55 / 0.0024

0.3

SMA

InGaAs

UPD-40-VSI-P

< 40

>8.5

500-1690

200×200 / 0.04

5000

SMA

InGaAs

UPD-40-IR2-P

< 40

>8.5

800-1700

60 / 0.0028

0.5

SMA

InGaAs

UPD-40-IR2-D

< 40

>8.5

800-1700

60 / 0.0028

0.5

SMA

InGaAs

UPD-40-IR2-FR

< 40

>8.5

800-1700

60 / 0.0028

0.5

SMA

InGaAs

UPD-40-IR2-FC

< 40

>8.5

800-1700

光纤, 9 µm

0.5

SMA

InGaAs

UPD-40-UVIR-P

< 40

>8.5

350-1700

60 / 0.0028

0.5

SMA

InGaAs

UPD-40-UVIR-D

< 40

>8.5

350-1700

60 / 0.0028

0.5

SMA

InGaAs

UPD-50-SP

< 50

>7.0

320-1100

100 / 0.0079

0.001

SMA

Si

UPD-50-SD

< 50

>7.0

320-1100

100 / 0.0079

0.001

SMA

Si

UPD-50-UP

< 50

>7.0

170-1100

100 / 0.0079

0.001

SMA

Si

UPD-50-UD

< 50

>7.0

170-1100

100 / 0.0079

0.001

SMA

Si

UPD-70-IR2-P

< 70

>5.0

800-1700

80 / 0.005

0.8

SMA

InGaAs

UPD-70-IR2-D

< 70

>5.0

800-1700

80 / 0.005

0.8

SMA

InGaAs

UPD-70-IR2-FR

< 70

>5.0

800-1700

80 / 0.005

0.8

SMA

InGaAs

UPD-70-IR2-FC

< 70

>5.0

800-1700

光纤, 9 µm

0.8

SMA

InGaAs

UPD-70-UVIR-P

< 70

>5.0

350-1700

80 / 0.005

0.8

SMA

InGaAs

UPD-70-UVIR-D

< 70

>5.0

350-1700

80 / 0.005

0.8

SMA

InGaAs

UPD-100-IR1-P

< 100

>3.0

400-2000

80 / 0.005

700

SMA

Ge

UPD-200-SP

< 175

>2.0

320-1100

400 / 0.126

0.001

BNC

Si

UPD-200-SD

< 175

>2.0

320-1100

400 / 0.126

0.001

BNC

Si

UPD-200-UP

< 175

>2.0

170-1100

400 / 0.126

0.001

BNC

Si

UPD-200-UD

< 175

>2.0

170-1100

400 / 0.126

0.001

BNC

Si

UPD-300-SP

< 300

>1.0

320-1100

600 / 0.283

0.01

BNC

Si

UPD-300-SD

< 300

>1.0

320-1100

600 / 0.283

0.01

BNC

Si

UPD-300-UP

< 300

>1.0

170-1100

600 / 0.283

0.01

BNC

Si

UPD-300-UD

< 300

>1.0

170-1100

600 / 0.283

0.01

BNC

Si

UPD-500-SP

< 500

>0.6

320-1100

800 / 0.5

0.01

BNC

Si

UPD-500-SD

< 500

>0.6

320-1100

800 / 0.5

0.01

BNC

Si

UPD-500-UP

< 500

>0.6

170-1100

800 / 0.5

0.01

BNC

Si

UPD-500-UD

< 500

>0.6

170-1100

800 / 0.5

0.01

BNC

Si

UPD-3N-IR2-P

< 150

>0.4

800-2100

300 / 0.07

90

BNC

InGaAs

UPD-5N-IR2-P

< 200

>0.3

800-2600

300 / 0.07

2000

BNC

InGaAs

UPD-2M-IR2-P

< 75000

>0.004

900-1700

2000 / 3.14

5

BNC

InGaAs

UPD-2M-IR2-P-1TEC

< 75000

>0.004

900-1700

2000 / 3.14

0.3

BNC

InGaAs


几种典型产品光谱响应范围

超快光电探测器 Alphalas UPD 320-1700nm InGaAs/Si/Ge/GaAs

产品特点

超高速运行

上升时间:15 ps - 500ps

带宽:最高达25 GHz

光谱范围:170 - 2600纳米

紧凑封装

电池或外部电源

自由空间光入射或FC/PC型

接头或光纤尾纤

通用参数

单位(mm)

超快光电探测器 Alphalas UPD 320-1700nm InGaAs/Si/Ge/GaAs

产品应用

脉冲形式测量

脉冲宽度测量

精确的同步

模式变化监控

外差测量





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