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硅 Si 高灵敏度雪崩光电二极管APD模块 620nm APD 是具有通过施加反向电压产生的内部增益的光电二极管。它们具有比 PIN 光电二极管更高的信噪比 (SNR),以及快速的时间响应、低暗电流和高灵敏度。光谱响应范围通常在 200 - 1150 nm 范围内。 C12702-12为短波型,有效面积:Φ3.0 mm APD 模块专为方便使用 Si APD 而设计。
硅(Si)放大型光电探测器 320 -1100nm (DC - 200kHz) 应用领域: •显示面板检测 •LED照明频闪分析 •玩具灯闪烁频率及功率测量 •气体分析
美国EOT - 硅光电探测器 118 MHz:材料:Silicon 上升/下降时间:<3ns/<3ns; 响应度:0.56A/W@830nm; 带宽:>118MHz; 有效面积直径:2.55mm; 输出连接:BNC
8mm大光敏面硅(Si)硅光电探测器在反向偏置条件下工作。峰值波长在 940nm 左右,光谱探测范围从 400nm~1100nm。
16mm四象限Si光电探测器SIQ1600:器件是N型硅象限探测器,当光辐射到器件各个象限的辐射通量相等时,则各个象限输出的光电流相等。而当目标发生偏移时,由于象限间辐射通量的变化,引起各个象限的输出光电流的变化,由此可测出物体的方位,从而起到跟踪、制导的作用。 16mm四象限Si光电探测器/N型硅象限探测器 光敏面直径 16mm,直流响应度 0.3A/W