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  • GD5210Y-2-2-TO46905nm 硅雪崩光电二极管 400-1100nm
    GD5210Y-2-2-TO46905nm 硅雪崩光电二极管 400-1100nm

    905nm 硅雪崩光电二极管 400-1100nm光谱响应范围从可见光到近红外,峰值响应波长905nm。大光敏面,高速响应,高增益,低噪声。

    更新时间:2022-08-08型号:GD5210Y-2-2-TO46访问量:1954
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  • MIR QWIP亚太赫兹超快探测器ULTRAFAST
    MIR QWIP亚太赫兹超快探测器ULTRAFAST

    亚太赫兹超快探测器ULTRAFAST 总览 TeraSense的超快探测器ULTRAFAST,通过直接观察其脉冲响应函数证实响应时间小于150 ps。用广谱范围为0.1至3THz的,200nJ、1ps的激光脉冲激发该探测器,其响应由高速示波器记录。响应功能显示了由示波器4 GHz带宽限制的150 ps的上升和下降时间。测量的短响应时间使得我们的探测器可以直接研究THz科学和电信中的快速瞬态过程。

    更新时间:2024-09-06型号:MIR QWIP访问量:839
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  • 中红外热电冷却光电导HgCdTe探测器
    中红外热电冷却光电导HgCdTe探测器

    中红外热电冷却光电导HgCdTe探测器是一种热电冷却光电导HgCdTe(碲镉汞,MCT)探测器。这种材料对2.0到15 μm的中红外光谱波段光波敏感。 中红外热电冷却光电导HgCdTe(碲镉汞,MCT)探测器 2.0 - 15μm / 450KΩ

    更新时间:2022-08-08型号:访问量:759
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  • MCT-PCI-2TE-5-2×2MCT两级TE冷却光电导探测器
    MCT-PCI-2TE-5-2×2MCT两级TE冷却光电导探测器

    1-15μm中红外光浸没式MCT两级TE冷却光电导探测器 PCI-2TE系列是基于复杂的MCT异质结构的两级热电冷却红外光电导探测器,采用光学浸没来提高器件的性能,具有好的性能和稳定性。探测器在λ_opt条件下性能达到好。截止波长受GaAs透过率(~0.9μm)的限制。设备应该在好的偏置电压和电流读出模式下工作。

    更新时间:2022-08-08型号:MCT-PCI-2TE-5-2×2访问量:579
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  • MCT-PVMI-8-1×1MCT 中红外非冷却光浸式多结光伏探测器
    MCT-PVMI-8-1×1MCT 中红外非冷却光浸式多结光伏探测器

    2-12μm ,MCT 中红外非冷却光浸式多结光伏探测器PVMI系列采用光学浸没的方式改善器件的参数,以达到好的性能和稳定性。探测器在λopt入射时性能好。这是一款特别适用于在2 ~ 12 μm光谱范围内工作的大感光面探测器。

    更新时间:2022-08-08型号:MCT-PVMI-8-1×1访问量:545
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  • 1-16μm MCT四级热电冷却红外光电导探测器
    1-16μm MCT四级热电冷却红外光电导探测器

    1-16μm MCT四级热电冷却红外光电导探测器 PC-4TE系列是基于复杂的MCT异质结构的四级热电冷却红外光电导探测器,具有好的性能和稳定性。这些器件在λopt下工作性能最佳。设备应该在好的偏置电压和电流读出模式下工作。

    更新时间:2023-06-29型号:访问量:564
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  • InAs-PVA-3-0.1×0.1红外非冷却InAs光伏探测器 2.15-3.5μm
    InAs-PVA-3-0.1×0.1红外非冷却InAs光伏探测器 2.15-3.5μm

    红外非冷却InAs光伏探测器 2.15-3.5μm PVA系列是基于InAs 1-x Sb x合金的非冷却红外光伏探测器。该设备具有高达300℃的温度稳定性以及高机械耐用,且不含汞和镉,符合RoHS指标要求

    更新时间:2022-08-08型号:InAs-PVA-3-0.1×0.1访问量:685
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  • II型超晶格两级热电冷却红外光导探测器
    II型超晶格两级热电冷却红外光导探测器

    II型超晶格两级热电冷却红外光导探测器是一种具有优良参数的II型超晶格两级热电冷却红外光导体。光导检测器应在偏置电压和电流读出模式下工作。由于1/f噪声,在低频率下的性能会降低。

    更新时间:2023-06-29型号:访问量:580
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