2-13μm , MCT中红外三级TE冷却光浸式多结光伏探测器 PVMI-3TE系列是基于复杂的HgCdTe异质结构的三级TE冷却红外多结光伏探测器，采用光学浸没的方式改善器件的参数，以达到好的性能和稳定性。

2 - 13 μm , MCT 中红外HgCdTe非冷却多结光伏探测器 PVM系列是基于复杂的HgCdTe异质结构的非冷却红外多结光伏探测器，具有好的性能和稳定性。探测器在λopt入射时性能好。它们在2 ~ 13 μm光谱范围内工作的大型有源区域探测器中效率很高。

1-14μm MCT两级热电冷却红外光电导探测器具有好的性能和稳定性。器件在λopt时达到最佳性能。设备应该在好的偏置电压和电流读出模式下工作。由于1/f噪声在低频时探测器的性能降低，1/f噪声角频率随截止波长增大而增大。

2-5.5μm红外两级TE冷却InAs光浸式光伏探测器 PVIA-2TE系列具有高达300℃的温度稳定性以及高机械耐用，且不含汞和镉，符合RoHS指标要求。带有3°楔形蓝宝石(wAl2O3)窗口防止不必要的干扰影响。

2 - 13 μm , MCT中红外两级TE冷却光浸式多结光伏探测器 PVMI-2TE系列采用光学浸没的方式改善器件的参数，以达到好的性能和稳定性。探测器在λopt入射时性能好。这是一款特别适用于在2 ~ 13 μm光谱范围内工作的大感光面探测器。

2-12μm ,MCT中红外四级TE冷却光浸式光电探测器 PVI-4TE系列具有好的性能和稳定性，同时采用光学浸入来改善器件的参数。探测器在λopt时具有好性能。起始波长可根据需要进行优化。反向偏置电压可以显著提高响应速度和动态范围以及高频下的性能，但偏置器件中出现的1/f噪声可能会降低低频下的性能。

2-12μm , MCT中红外三级TE冷却光浸式光电探测器 PVI-3TE系列具有好的性能和稳定性，同时采用光学浸入来改善器件的参数。探测器在λopt时具有好性能。切割波长可根据需要进行优化。反向偏置电压可以显著提高响应速度和动态范围以及高频下的性能，但偏置器件中出现的1/f噪声可能会降低低频下的性能。

2-12μm MCT 中红外两级TE冷却光浸式光电探测器 PVI-2TE系列是基于复杂的HgCdTe异质结构的两级热电冷却红外光电探测器，具有好的性能和稳定性，同时采用光学浸入来改善器件的参数。探测器在λopt时具有好性能。