2 - 13 μm , MCT中红外两级TE冷却光浸式多结光伏探测器 PVMI-2TE系列采用光学浸没的方式改善器件的参数，以达到好的性能和稳定性。探测器在λopt入射时性能好。这是一款特别适用于在2 ~ 13 μm光谱范围内工作的大感光面探测器。

2-12μm ,MCT中红外四级TE冷却光浸式光电探测器 PVI-4TE系列具有好的性能和稳定性，同时采用光学浸入来改善器件的参数。探测器在λopt时具有好性能。起始波长可根据需要进行优化。反向偏置电压可以显著提高响应速度和动态范围以及高频下的性能，但偏置器件中出现的1/f噪声可能会降低低频下的性能。

2-12μm , MCT中红外三级TE冷却光浸式光电探测器 PVI-3TE系列具有好的性能和稳定性，同时采用光学浸入来改善器件的参数。探测器在λopt时具有好性能。切割波长可根据需要进行优化。反向偏置电压可以显著提高响应速度和动态范围以及高频下的性能，但偏置器件中出现的1/f噪声可能会降低低频下的性能。

2-12μm MCT 中红外两级TE冷却光浸式光电探测器 PVI-2TE系列是基于复杂的HgCdTe异质结构的两级热电冷却红外光电探测器，具有好的性能和稳定性，同时采用光学浸入来改善器件的参数。探测器在λopt时具有好性能。

2-12μm 中红外MCT三级热电冷却红外光电探测器, 带TEC ,PV-3TE系列是基于复杂的MCT异质结构的三级热电冷却红外光电探测器，具有好的性能和稳定性。探测器在λopt时达到好性能。起始波长可根据需要进行优化。

2.5-6.5μm MCT碲镉汞 中红外非制冷光电探测器 PVI系列是基于复杂的MCT异质结构的非制冷红外光电探测器，采用光学浸没的方式提高器件的性能参数，使其具有好的性能和稳定性。器件在λ_opt时达到好性能。

3μm MCT 中红外非制冷光电探测器 2.5-6.5μm HgCdTe器件在λ_opt时达到好性能。波长分割可根据需求进行优化。反向偏置电压可以在显著提高响应速度和动态范围的同时提高高频下的性能，但偏置器件中出现的1/f噪声在低频下可能会降低探测器的性能。

光电磁MCT红外光伏探测器 2.0-12.0um PEMI系列在10.6 μm处探测性能最佳，是一款特别适用于探测连续波和低频调制辐射的大感光面探测器。这款探测器被安装在内部含有磁性电路的特殊包装中。3°楔形硒化锌抗反射涂层(wZnSeAR)窗户，可以防止不必要的干扰影响和污染。